SKM75GAL123D — IGBT модуль SEMIKRON

Имеет следующие основные параметры:

• номинальное напряжение — U=1200 V;
• длительно допустимый ток коллектора при температуре корпуса 25 градусов — IC@ (TC=25ºC) =75A;
• длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса — IСnom=50A;
• напряжение насыщения коллектор-эмиттер — VCEsat=2.5V;
• потери энергии при включении — Eon=8.0mJ;
• потери энергии на выключение — Eoff=5.0mJ;
• тепловое сопротивление переход-корпус (IGBT) — Rth (j-c) =0.27K/W;
• прямой ток (обратного диода) при температуре корпуса 25 градусов — IF@ (TC=25ºC) =75A;
• (непосредственное) прямое падение напряжения (на обратном диоде) — VF=2.0V;
• потери энергии при обратном восстановлении (обратного диода) — Err=2,2mJ;
• тепловое сопротивление переход-корпус (диод) — Rth (j-c) =0.6K/W.
• корпус — SEMITRANS 2.