Киев
Модуль SEMITOP 3 SK75GB12T4T заменяет 2 дискретных IGBT в корпусе ТО.
В производственной программе SEMIKRON маломощные модули SEMITOP являются самыми малогабаритными. Они рассматриваются как альтернатива дискретным приборам в корпусах ТО — наиболее популярным компонентам для разработки и производства преобразователей мощностью до 5 кВт. Модули SEMITOP выпускаются по уникальной прижимной технологии SKiiP, разработанной SEMIKRON и позволяющей обеспечить хорошие тепловые характеристики и высокие показатели надежности.
Несомненным преимуществом применения интегральных малогабаритных модулей вместо дискретных корпусов ТО является то, что можно в 2-4 раза увеличить мощность преобразовательного устройства при аналогичных габаритах силового каскада.
Модуль SEMITOP 3 SK75GB12T4T заменяет 2 дискретных IGBT в корпусе ТО.
IGBT —технология Trench4, обратный диод CAL4 —технология FWD, интегрированный NTC температурный датчик.
Технические данные:
номинальное напряжение U=1200 V;
длительно допустимый ток коллектора при температуре корпуса 25 градусов— Ic @ (Tc=25C) =80A;
длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса — Icnom=75A;
напряжение насыщения коллектор-эмиттер — VCEsat=1,85V;
потери энергии при включении — EON=13,6mJ;
потери энергии на выключение — EOFF=8,2mJ;
тепловое сопротивление переход-корпус (IGBT) — Rthjc=0,74K/W;
прямой ток (обратного диода) при температуре корпуса 25 градусов — IF @ (Tc=25C) =70A;
(непосредственное) прямое падение напряжения (на обратном диоде) —VF=2,10V;
потери энергии при обратном восстановлении (обратного диода) — Err=3,39mJ;
тепловое сопротивление переход-корпус (диод) — Rthjc-D=0,97K/W.
