159НТ1А (AU) (5-я приемка) матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей) - CAR-LED. Електронні радіокомпоненти. LED освітлення для оселі, офісу та автотранспорту в Киеве
Код: 159НТ1А

159НТ1А (AU) (5-я приемка) матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)

В наличии
43.4 UAH 43,40 грн.
при заказе от 10 шт.
Оптовые цены
42,09 грн. от 20 шт.
39,46 грн. от 50 шт.
46,03 грн. розничная цена
Количество:
Купить в 1 клик
Пример: +38 039 1234567
+380 показать номер
Чат с продавцом
Добавить в избранное
Достижения продавца
6 лет
на портале
Быстрое
обслуживание
Способы оплаты
Оплата картой Visa, Mastercard - LiqPay, Готівкою або банківською карткою через банківський POS-термінал у нашому магазині в місті Києві
Способы доставки
Новая Почта, Термінова кур'єрська служба доставки iPOST по місту Києву за 90 хвилин або на призначений час доби
Характеристики
Основные
Тип микросхемы Операционный усилитель
Материал корпуса Пластик
Тип операционного усилителя Дифференциальный
Описание

159НТ1А (AU) (5-я приемка)

матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)

Микросхемы представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).

Корпус типа 301.8-2, масса не более 1,3 гр.

Корпус ИМС К159НТ1А-Е

301.8-2 package view















Электрическая схема

Conditional graphic designation1,8 ― свободные; 
2 ― коллектор транзистора VT1;
3 ― база транзистора VT1;
4 ― эмиттер транзистора VT1; 
5 ― эмиттер транзистора VT2; 
6 ― база транзистора VT2; 
7 ― коллектор транзистора VT2; 






Электрические параметры
 
1 Разность напряжений эмиттер-база транзисторов
    159НТ1А-В
    159НТ1Г-Е
  
не более 3 мВ
не более 15 мВ
2 Прямое падение напряжения эмиттер-база при Iэ=1 мА 0,55...0,75 В
3 Обратный ток коллектор-база не более 200 нА
4 Обратный ток эмиттер-база не более 500 нА
5 Ток утечки между транзисторами VT1 и VT2 при U=20 В не более 20 нА
6 Коэффициент усиления по току при UКБ=5 В, IЭ=1 мА
    159НТ1А,Г
    159НТ1Б,Д
    159НТ1В,Е
  
20...80
60...180
более 80
7 Емкость эмиттера на частоте 10 мГц не более 5 пФ
8 Емкость коллектора на частоте 10 мГц не более 4 пФ


Предельно допустимые режимы эксплуатации
 
1 Напряжение коллектор-база 20 В
2 Напряжение эмиттер-база 4 В
3 Напряжение между транзисторами 20 В
4 Ток коллектора постоянный 10 мА
5 Ток коллектора импульсный tи=30 мкс 40 мА
6 Рассеиваемая мощность 50 мВт


Зарубежные аналоги
 

2N4042-2N4045

 

Отзывы о товаре
Об этом товаре пока что нет отзывов.
Вы можете оставить первый отзыв.
92% положительных из 928 отзывов
Актуальность цены 99%
Актуальность наличия 94%
Актуальность описания 97%
Выполнение заказа в срок 92%
  • 5
    Отлично
    Сделка подтверждена Prom.ua
    рекомендую рекомендую рекомендую рекомендую
    • Заказ выполнен вовремя
    • Цена актуальна
    • Наличие актуально
    • Описание актуально
  • 5
    Отлично
    Сделка подтверждена Prom.ua
    • Заказ выполнен вовремя
    • Цена актуальна
    • Наличие актуально
    • Описание актуально
159НТ1А (AU) (5-я приемка) матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)
В наличии
43,40 грн.
при заказе от 10 шт.
+380 показать номер
Перезвоните мне
Чат с продавцом