SKM195GB066D - электроизолированный IGBT модуль Semikron.

SKM195GB066D — IGBT модуль SEMIKRON

Имеет следующие основные параметры:

• номинальное напряжение — U=600 V;
• длительно допустимый ток коллектора при температуре корпуса 25 градусов — IC@ (TC=25ºC) =265A;
• длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса — IСnom=200A;
• напряжение насыщения коллектор-эмиттер — VCEsat=1.45V;
• потери энергии при включении — Eon=14mJ;
• потери энергии на выключение — Eoff=8mJ;
• тепловое сопротивление переход-корпус (IGBT) — Rth (j-c) =0.22K/W;
• прямой ток (обратного диода) при температуре корпуса 25 градусов — IF@ (TC=25ºC) =200A;
• (непосредственное) прямое падение напряжения (на обратном диоде) — VF=1.4V;
• потери энергии при обратном восстановлении (обратного диода) — Err=5.6mJ;
• тепловое сопротивление переход-корпус (диод) — Rth (j-c) =0.4K/W.
• корпус — SEMITRANS 2.

Цена может быть изменена без предупреждения при колебаниях курса евро.

Более подробную информацию можно посмотреть здесь: