Наимен. | тип | Uкбо(и),В | Uкэо(и), В | Iкmax(и), мА | Pкmax(т), Вт | h21э | Iкбо, мкА | fгр., МГц | Кш, Дб |
КТ602АМ | n-p-n | 120 | 100 | 75(500) | 0.85(2.8) | 20-80 | 70 | 150 | - |
КТ602БМ | 120 | 100 | 75(500) | 0.85(2.8) | 50-200 | 70 | 150 | - |
Корпус:
Uкбо | - Максимально допустимое напряжение коллектор-база |
Uкбои | - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база |
Uкэо | - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер |
Uкэои | - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер |
Iкmax | - Максимально допустимый постоянный ток коллектора |
Iкmax и | - Максимально допустимый импульсный ток коллектора |
Pкmax | - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода |
Pкmax т | - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом |
h21э | - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером |
Iкбо | - Обратный ток коллектора |
fгр | - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером |
Кш | - коэффициент шума биполярного транзистора |
КТ602БМ
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n.
Предназначены для генерирования и усиления сигналов.
Транзисторы:
- 2Т602А, 2Т602Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами,
- 2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов 2Т602А, 2Т602Б, не более 5 г, 2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ ― не более 1 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ602БМ:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max ― Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,85 Вт;
• Рк и max ― Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 2,8 Вт;
• fгр ― Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 150 МГц;
• Uкбо max ― Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 120 В;
• Uэбо max ― Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max ― Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 75 мА;
• Iк и max ― Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА;
• Iкбо ― Обратный ток коллектора ― ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 70 мкА;
• h21э ― Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 50;
• Ск ― Емкость коллекторного перехода: не более 4 пФ;
• Rкэ нас ― Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4 Ом;
• tк ― Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 300 пс