SKM300GAL12T4 - электроизолированный IGBT модуль Semikron.

SKM300GAL12E4 — IGBT модуль SEMIKRON

Имеет следующие основные параметры:

• номинальное напряжение — U=1200 V;
• длительно допустимый ток коллектора при температуре корпуса 25 градусов — IC@ (TC=25ºC) =422A;
• длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса — IСnom=300A;
• напряжение насыщения коллектор-эмиттер — VCEsat=1.85V;
• потери энергии при включении — Eon=27mJ;
• потери энергии на выключение — Eoff=29mJ;
• тепловое сопротивление переход-корпус (IGBT) — Rth (j-c) =0.11K/W;
• прямой ток (обратного диода) при температуре корпуса 25 градусов — IF@ (TC=25ºC) =353A;
• (непосредственное) прямое падение напряжения (на обратном диоде) — VF=2.17V;
• потери энергии при обратном восстановлении (обратного диода) — Err=23mJ;
• тепловое сопротивление переход-корпус (диод) — Rth (j-c) =0.17K/W.
• корпус — SEMITRANS 3.

Цена может быть изменена без предупреждения при колебаниях курса евро.

Более подробную информацию можно посмотреть здесь: